Sandisk und Toshiba schrumpfen Flash-Speicherchips
Die Kooperationspartner haben den Zellen-Aufbau ihrer NAND-Flash-Bauelemente mit Multi-Level-Cell-Technik deutlich verkleinert.
Außer durch Verfeinerung der Fertigungstechnik lassen sich Flächenbedarf und Herstellungskosten von Halbleiterbauelementen auch durch den Aufbau der eigentlichen Schaltungselemente reduzieren. Die Kooperationspartner Sandisk und Toshiba kündigen nun an, die Multi-Level-Speicherzellen ihrer NAND-Flash-Chips deutlich geschrumpft zu haben. Im gleichen 19-Nanometer-Fertigungsverfahren produziert, soll eine der neuen 2-Bit-Zellen nur noch eine Kantenlänge von 19 Nanometer mal 19,5 Nanometer aufweisen. (jk)
