DRAM-Kooperation zwischen Infineon und taiwanischer Nanya
Neben einem Joint-Venture zur DRAM-Produktion wollen die beiden Firmen gemeinsam Techniken für 90- und 70-Nanometer-Chip-Strukturen auf 300-mm-Wafern entwickeln.
Der Halbleiterhersteller Infineon will im verlustreichen Speicherchip-Geschäft künftig mit dem taiwanischen Nanya-Konzern kooperieren, so das Ergebnis der Gespräche mit dem Konkurrenten. Geplant ist unter anderem ein gemeinsames Werk in Taiwan, teilte Infineon Technologies am heutigen Donnerstag mit; ein Joint-Venture, das zu gleichen Teilen beiden Firmen gehören soll, werde für die Fertigung von DRAM-Chips zuständig sein. Im zweiten Halbjahr 2004 soll das neue Werk einen Ausstoß von monatlich rund 20.000 300-mm-Wafern erreichen. In dem "unverbindlichen Memorandum of Understanding", wie Infineon erklärt, ist zudem vereinbart, ab Oktober 2002 Fertigungstechniken für 300-mm-Wafer und Chip-Strukturbreiten von 90 und 70 Nanometer zu entwickeln.
Infineon geht damit nach mehreren Pokerrunden um die Konsolidierung im weltweiten Speichergeschäft eine ernsthafte Kooperation ein -- zuvor war der Münchener Halbleiterhersteller durch Offerten für die Speichersparte von Hynix aufgefallen, die einige Marktbeobachter als "großen Bluff" bezeichneten. Anfang der Woche war allerdings die geplante Übernahme der Speichersparte des hoch verschuldeten Chipherstellers Hynix durch den US-Rivalen Micron Technology geplatzt. Bislang hatten alle Marktteilnehmer auf die Zusammenlegung der DRAM-Sparten der beiden Konkurrenten große Hoffungen für eine Marktbereinigung und damit steigende Preise für Speicherchips gesetzt. (jk)
